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BITCELL STATE RETENTION

Digital Resources/Online E-Resources

Citations Cited by
  • Title:
    BITCELL STATE RETENTION
  • Author: AUGUSTINE CHARLES ; TOMISHIMA SHIGEKI ; LU SHIH LIEN L ; TSCHANZ JAMES W
  • Subjects: INFORMATION STORAGE ; PHYSICS ; STATIC STORES
  • Description: 본 개시 내용의 다양한 실시예에 따라서, STT(spin transfer torque) RAM(random access memeory)과 같은 MRAM인 STTRAM 메모리에서의 표류 자계 저감이 설명된다. 일 실시예에서, STTRAM에서의 비트 셀 비트 값 저장 상태들의 유지가, 메모리의 비트 셀들이 상태를 변경하도록 야기할 수 있는 표류 자계를 보상하기 위해 자계들을 생성함으로써 용이하게 될 수 있다. 또 다른 실시예에서, STTRAM에서의 비트 셀 비트 값 저장 상태들의 유지는, 메모리의 비트 셀들이 상태를 변경하도록 야기할 수 있는 표류 자계를 일시적으로 종료시키기 위해 메모리의 행에 대한 액세스를 선택적으로 중지시킴으로써 용이하게 될 수 있다. 다른 양태들이 본 명세서에 설명된다. In accordance with various embodiments of this disclosure, stray magnetic field mitigation in an MRAM memory such as a spin transfer torque (STT) random access memory (RAM), STTRAM is described. In one embodiment, retention of bitcell bit value storage states in an STTRAM may be facilitated by generating magnetic fields to compensate for stray magnetic fields which may cause bitcells of the memory to change state. In another embodiment, retention of bitcell bit value storage states in an STTRAM may be facilitated by selectively suspending access to a row of memory to temporarily terminate stray magnetic fields which may cause bitcells of the memory to change state. Other aspects are described herein.
  • Creation Date: 2022
  • Language: English;Korean
  • Source: esp@cenet
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