Ngôn ngữ:
(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD
Journal of crystal growth, 2001-09, Vol.231 (1), p.41-47 [Tạp chí có phản biện]2001 Elsevier Science B.V. ;2001 INIST-CNRS ;ISSN: 0022-0248 ;EISSN: 1873-5002 ;DOI: 10.1016/S0022-0248(01)01443-9 ;CODEN: JCRGAE
Tài liệu số/Tài liệu điện tử
|
||||
 |
INSPIRE LIBRARY - TON DUC THANG UNIVERSITY |  |
(84-028) 37 755 057 | Feedback |
| 19 Nguyen Huu Tho St. Dist.7, HCM |  |
thuvien@tdtu.edu.vn | ||