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22nm带隙基准电压源的设计

科技创新与应用, 2022, Vol.12 (5), p.97-100

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Title:
22nm带隙基准电压源的设计
Author: 郭苹苹
Is Part Of: 科技创新与应用, 2022, Vol.12 (5), p.97-100
Description: TN432; 集成电路的核心器件尺寸越来越小,传统工艺逐渐不能满足要求.文章基于Global Foundries 22 nm FDSOI先进工艺,利用自偏置折叠共源共栅运算放大器,设计了一款带隙基准电压源,仿真结果表明,在电源电压为1.53～1.8 V范围内,输出电压为800 mV;在不同的工艺角下,温度从-40～125℃变化,输出电压在786.3～806.5 mV之间,变化范围为-14～6.5 mV,精确度为-1.75％～0.81％.
Publisher: 上海电力大学电子与信息工程学院,上海 200090
Language: Chinese
Identifier: ISSN: 2095-2945
DOI: 10.19981/j.CN23-1581/G3.2022.05.031
Source: 国家哲学社会科学学术期刊数据库 (National Social Sciences Database)

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